Die elektronische Struktur der As-bedeckten GaAs(111)-Oberfläche formatIsbn:Softcover - 9783838613222 Hilfstafel zu Tafel 7 --

Hilfstafel zu Tafel 7 -- 9

5 sehr sorgfältig auswählte

weil die wirtschaftlichen und politischen Grundvoraussetzungen nicht erfüllt waren

bestimmte Sicherheitsanforderungen zu gewährleisten

Die elektronische Struktur der As-bedeckten GaAs(111)-Oberfläche formatIsbn:Softcover - 9783838613222 Hilfstafel zu Tafel 7 --Inhaltsangabe: Problemstellung: In den letzten Jahren wurden die polaren Oberflchen von III V Halbleitern in zunehmendem Mae mit Molekularstrahlepitaxie (MBE=molecular beam epitaxy) hergestellt. Die so erhaltenen, sauberen, Oberflchen mssen beim Transport durch die Atmosphre vor Verunreinigungen und Oxidation geschtzt werden. Dazu wurde von Kowalczyk et al. [1] die Technik entwickelt, die Proben vor dem Ausbau aus der MBE Kammer mit einem dicken Film